| PZT铁电薄膜的低温原位生长 |
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| 引用本文： | 王震东,赖珍荃,范定寰,张景基,黄奇辉.PZT铁电薄膜的低温原位生长[J].红外与毫米波学报,2008,27(3):224-226. |
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| 作者姓名： | 王震东 赖珍荃 范定寰 张景基 黄奇辉 |
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| 作者单位： | 南昌大学物理系,江西,南昌,330031;南昌大学物理系,江西,南昌,330031;南昌大学物理系,江西,南昌,330031;南昌大学物理系,江西,南昌,330031;南昌大学物理系,江西,南昌,330031 |
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| 基金项目： | 江西省自然科学基金
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同济大学波与材料微结构重点实验室开放基金
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南昌大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 在溅射法预制备的LaNiO3/Si基片上,用射频溅射法在较低的衬底温度(235～310℃)和纯Ar气氛中原位生长Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜.通过优化溅射功率、基片温度等工艺,最后在260℃的较低基片温度上成功制备出具有良好铁电性的PZT薄膜.使用X射线衍射(XRD)测试样品的结构,原子力显微镜观察其表面形貌,TD-88A标准铁电测试系统测试样品(Ar/PZT/LNO结构)的铁电性能.结果表明:(1)溅射功率110W,基片温度260℃时,原位沉积的PZT呈(111)、(200)取向;(2)上述工艺制备的PZT薄膜展现良好的铁电性,在5V测试电压时,其剩余极化为23.1uc/cm2,漏电流密度为1.34×10-4A/cm2.
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| 关 键 词： | 铁电薄膜 原位生长 射频溅射 钙钛矿相 |
| 文章编号： | 1001-9014(2008)03-0224-03 |
| 收稿时间： | 2007/11/27 |
| 修稿时间： | 2007年11月27 |
IN-SITU DEPOSITION OF PZT FERROELECTRIC THIN FILMS AT LOW TEMPERATURE |
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| WANG Zhen-Dong,LAI Zhen-Quan,FAN Ding-Huan,ZHANG Jing-Ji,HUANG Qi-Hui.IN-SITU DEPOSITION OF PZT FERROELECTRIC THIN FILMS AT LOW TEMPERATURE[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2008,27(3):224-226. |
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| Authors: | WANG Zhen-Dong LAI Zhen-Quan FAN Ding-Huan ZHANG Jing-Ji HUANG Qi-Hui |
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