| 基于SOI衬底的一种新型磁敏晶体管研究 |
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| 引用本文： | 温殿忠,.基于SOI衬底的一种新型磁敏晶体管研究[J].电子器件,2006,29(3):609-612. |
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| 作者姓名： | 温殿忠 |
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| 作者单位： | 黑龙江大学集成电路重点实验室,哈尔滨,150080 |
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| 摘 要： | 设计了一种基于SOI衬底且由新型磁敏晶体管组成的磁敏测量电路。理论分析了n^＋-π-n^＋晶体管基区长度大于载流子有效扩散长度Leff时的磁灵敏度。该磁敏晶体管可应用于磁场的测量，实验结果表明在磁场B=0．1T时，这种新型结构给出高的磁灵敏度即△Ic/Ic≈20%，并且有很好的电控制特性。该磁敏晶体管的槽形复合区采用MEMS技术制造。
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| 关 键 词： | 双注入 磁敏晶体管 SOI衬底 磁场测量 MEMS |
| 文章编号： | 1005-9490（2006）01-0609-04 |
| 收稿时间： | 2005-10-12 |
| 修稿时间： | 2005-10-12 |
Study on a New Magneto-Transistor Formed on a SOI Substrate |
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| WEN Dian-zhong.Study on a New Magneto-Transistor Formed on a SOI Substrate[J].Journal of Electron Devices,2006,29(3):609-612. |
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| Authors: | WEN Dian-zhong |
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| Affiliation: | Major Laboratories of Integrated circuits, Heilongjiang University, Haerbin 150080, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MEMS |
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