| 1GHz 0.5μm CMOS低噪声放大器的设计 |
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| 引用本文： | 姚飞,成步文.1GHz 0.5μm CMOS低噪声放大器的设计[J].半导体学报,2004,25(10):1291-1295. |
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| 作者姓名： | 姚飞 成步文 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 从低噪声放大器(L NA)的设计原理出发,提出并设计了一种工作于1GHz的实用L NA.电路采用共源-共栅的单端结构,用HSPICE软件对电路进行分析和优化.模拟过程中选用的器件采用TSMC0 .5 μm CMOS工艺实现.模拟结果表明所设计的L NA功耗小于15 m W,增益大于10 d B,噪声系数为1.87d B,IIP3大于10 d Bm,输入反射小于- 5 0 d B.可用于1GHz频段无线接收机的前端
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| 关 键 词： | RF电路 低噪声放大器 CMOS 螺旋电感 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)10-1291-05 |
| 修稿时间： | 2003年9月28日 |
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