使用在有机基板中埋置无源元件的方法设计集成低噪声放大器

低噪声放大器(LNA)的噪声指数是由电感器的品质因数Q决定的。由于S中高Q电感器的缺乏，在例如GSM和W-CDMA等高灵敏度应用中，完全集成的CMOS LNA的发展已受到很大限制。目前，高Q电感器设计(埋置于低成本的IC封装中)的发展使得射频(RF)前端的单管封装集成成为可能。这些埋置无源元件提供了一个使分立元件或芯片上的低Q无源元件灵活变化、以达到完全集成的方法。与芯片上的低Q电感器和具有固定Qs的分立元件比较而言，这些埋置无源元件的使用同样会引起无源Q作为一个新的变量在电路设计中的应用。然而，高Q同样会引起新的调整，特别是在器件尺寸方面。本文为使用埋置无源元件来设计完全集成的CMOS LNA提供了新的优化战略。为较高Q值所做的电感器尺寸调整已经能够适应LNA的设计方案。文章还介绍了在封装基板中多个埋置元件应用的设计，特别涉及到了无源元件和基准接地布线之间的相互耦合。