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杂志ISSN号
GaAlAs—GaAs、InGaAs—InP光电器件的表面特性与有机钝化
作者姓名:
丁国庆
崔光杰
摘 要:
本文讨论了GaAlAs-GaAs、InGaAs-InP光电器件中反向漏电大,性能不稳定的各种因素。为使器件反向电流减少和稳定可靠,必须采用表面钝化措施。比较了无机钝化和有机钝化的优缺点,指出用聚酰亚胺作为多种半导体器件表面钝化膜的优点和实用价值。
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