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| 数字逻辑电路中掺金量的测试和控制 | |
| 引用本文： | 席奎德.数字逻辑电路中掺金量的测试和控制[J].半导体技术,1985(3). |
| 作者姓名： | 席奎德 |
| 作者单位： | 常州半导体厂 |
| 摘 要： | 金扩散是开关管和数字逻辑电路中的特有工艺,掺金的主要目的是减少晶体管集电区少子寿命,缩短贮存时间,提高开关速度.从这个意义讲,集电区的金浓度越大越有利于提高电路速度,然而掺金会导致集电区电阻率提高,串联电阻增加,低电平上升.W·M·Bullis指出,当金浓度比原施主浓度大两个数量级时,便发生高补偿,大三个以上数量级时发生反型.虽然金在硅中的固溶度既使在1300℃也只有1×10~(17)cm~(-3),但从金在薄硅中分布曲线看(图1),片子表面浓度却可能较大,有可 |
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