| 一种SiGe BiCMOS高速PNP器件的设计 |
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| 引用本文： | 刘冬华,郁芳,钱文生.一种SiGe BiCMOS高速PNP器件的设计[J].微电子学,2013,43(1):99-102,106. |
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| 作者姓名： | 刘冬华 郁芳 钱文生 |
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| 作者单位： | 上海华虹NEC电子有限公司,上海,201206 |
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| 基金项目： | 国家科技02专项十一五重大项目(2009ZX02303);国家科技02专项十二五重大项目(2011ZX02506) |
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| 摘 要： | 设计了一种适用于SiGe BiCMOS工艺的低成本、高性能垂直结构PNP器件.基于仿真结果,比较了不同发射区和基区制作方法对器件特性的影响.在确定器件结构和制作工艺的基础上,进一步优化了器件特性.基于仿真得到的工艺条件所制作的PNP器件,其特性与仿真结果基本一致.最终优化的PNP器件的电流增益为38,击穿电压大于7V,特征频率为10 GHz.该PNP晶体管改善了横向寄生硅基区PNP晶体管的性能,减少了垂直SiGe基区PNP晶体管工艺的复杂性,采用成本低廉的简单工艺实现了优良的器件性能.
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| 关 键 词： | PNP晶体管 SiGe BiCMOS 电流增益 特征频率 |
Design of High Speed PNP Transistor for SiGe BiCMOS Process |
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| LIU Donghu,YU Fang,QIAN Wensheng.Design of High Speed PNP Transistor for SiGe BiCMOS Process[J].Microelectronics,2013,43(1):99-102,106. |
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| Authors: | LIU Donghu YU Fang QIAN Wensheng |
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| Affiliation: | (Shanghai Huahong NEC Electronics Company,Shanghai 201206,P.R.China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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