| 一种高可靠性上电复位芯片的设计 |
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| 引用本文： | 王汉祥,李富华,谢卫国. 一种高可靠性上电复位芯片的设计[J]. 现代电子技术, 2009, 32(2) |
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| 作者姓名： | 王汉祥 李富华 谢卫国 |
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| 作者单位： | 苏州大学,电子信息学院,江苏,苏州,215021 |
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| 摘 要： | 为了解决传统上电复位电路二次上电时易失效的问题,提出以比较器结构为基础,由带隙基准、电阻网络和逻辑电路等组成的高可靠性的上电复位解决方案.并增加复位延时电路,进一步提高复位可靠性.使用0.6 μm双层多晶硅N阱CMOS工艺模型,利用HSpice对其功能仿真,结果表明该电路3.3 V工作电压下的阈值电压为3.08 V,复位延时时间为100 ms,能稳定可靠地提供复位信号,可适用于电脑、微控制器以及便携式电子产品的电源监控.
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| 关 键 词： | 上电复位 带隙基准 温度系数 运算跨导放大器 激光调整 |
Design of Power-on Reset Chip with High Reliability |
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| WANG Hanxiang,LI Fuhua,XIE Weiguo. Design of Power-on Reset Chip with High Reliability[J]. Modern Electronic Technique, 2009, 32(2) |
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| Authors: | WANG Hanxiang LI Fuhua XIE Weiguo |
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| Abstract: | |
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