非晶相界面SiC/Cu复合材料的制备

采用真空热压法制备了体积分数为20%的界面非晶相Si O2–B2O3–Na2O的Si C/CuV(SiC):V(Cu)=35:65]复合材料。烧结温度为650、700、750、800℃,保温时间为0.5 h。利用X射线衍射和扫描电子显微镜对烧结样品的组成及形貌进行了表征。采用了Archimedes原理及显微硬度仪测量了烧结样品的气孔率和硬度。结果表明:添加非晶相的SiC/Cu复合材料的致密化烧结温度降低了200℃,样品的气孔率降低至0.2%;硬度提高了64%,达到了2.3 GPa。研究发现,非晶相修饰界面并起到了"粘结剂"的作用,提高了SiC/Cu界面润湿性,改善了微观结构的均匀性。