| 在氧化铟锡导电玻璃上化学浴沉积ZnO纳米线 |
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| 引用本文： | 杨文婷.在氧化铟锡导电玻璃上化学浴沉积ZnO纳米线[J].机械工程材料,2019,43(3). |
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| 作者姓名： | 杨文婷 |
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| 作者单位： | 广西建设职业技术学院,南宁,530007 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;广西教育厅中青年教师能力提升项目;中国科学院重点实验室开放基金;广西壮族自治区科技攻关计划 |
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| 摘 要： | 以Zn(NO_3)_2·6H_2O、六亚甲基四胺和聚乙烯亚胺(PEI)为原料,采用化学浴沉积法在沉积了ZnO种子层的氧化铟锡导电玻璃衬底上制备ZnO纳米线,研究了种子层沉积温度(150,200℃)以及PEI浓度(0～9.0mmol·L~(-1))、生长时间(3～12h)和水浴温度(65～95℃)对ZnO纳米线形貌和尺寸的影响。结果表明:在试验参数下均能成功制备得到ZnO纳米线;当种子层沉积温度为200℃,生长时间为9h,水浴温度为95℃,PEI浓度为4.5mmol·L~(-1)时,ZnO纳米线呈规则六棱柱状生长,并垂直排列于衬底上,且长径比最大,达20.56。
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| 关 键 词： | ZnO纳米线 化学浴沉积法 长径比 |
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