| 气溶胶辅助CVD法制备F掺杂SnO2薄膜及其性能 |
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| 引用本文： | 王轩,梁波,邸庆银,赵洪力,杨静凯.气溶胶辅助CVD法制备F掺杂SnO2薄膜及其性能[J].硅酸盐学报,2019,47(2):243-249. |
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| 作者姓名： | 王轩 梁波 邸庆银 赵洪力 杨静凯 |
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| 作者单位： | 燕山大学材料科学与工程学院,河北秦皇岛,066004;燕山大学材料科学与工程学院,河北秦皇岛 066004;亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室,河北秦皇岛 066004;亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室,河北秦皇岛,066004 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;河北省自然科学基金青年科学基金;科技计划 |
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| 摘 要： | 采用气溶胶辅助化学气相沉积法(AACVD)在玻璃衬底上沉积F掺杂SnO_2(FTO)薄膜,研究了前驱液中不同F/Sn摩尔比制备的FTO薄膜的结构、表面形貌、光学、电学及光致发光性能。结果表明:所制备FTO薄膜均为(200)面择优取向的多晶四方金红石相结构;前驱液中F/Sn摩尔比的增加,会导致(110)面的衍射峰强度增加,薄膜表面堆积颗粒形状发生变化,薄膜样品光学透过率提升;当F/Sn摩尔比=40%时,FTO薄膜具有最大的载流子浓度1.031×10~(21) cm~(–3)以及最小的电阻率3.42×10~(–4)?·cm,这可归结为适量F的存在产生不同的缺陷影响。(200)面择优取向FTO薄膜光致发光谱可用于表征不同缺陷形式的跃迁。
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| 关 键 词： | 气溶胶辅助化学气相沉积法 氟掺杂二氧化锡薄膜 氟掺杂量 电学性能 光致发光 |
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