多孔硅的制备方法和成核机制 |
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作者姓名: | 吴现成 闫大为 徐大印 甄聪棉 |
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作者单位: | [1]烟台大学光电学院物理系,烟台264005 [2]河北师范大学物理系,石家庄050000 |
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摘 要: | 目前多孔硅研究已经成为众多研究者关注的热点之一,它在微电子机械、激光器、探测器、传感器、燃料电池,太阳能电池等许多领域具有巨大的应用替力。首先陈述了常见的多孔硅制备方法,其中超声声空化物理化学综合法将光致发光峰半峰宽压缩至3.8mm的报告振奋人心。随后引出比较流行的3种多孔硅成核机制模型,量子限制模型得到大多数的认可。最后,分析了最近国内外多孔硅的研究和应用情况,并指出尺寸厚度精确可控、机械硬度高、孔隙分布均匀、发光稳定性高的多孔硅依然是制备工艺追求的目标。
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关 键 词: | 多孔硅 成核机制 制备方法 制备工艺 |
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