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| 电喷涂硅胶薄层底衬制备4πβ薄膜源 | |
| 引用本文： | 陈庆江 ,杨景霞.电喷涂硅胶薄层底衬制备4πβ薄膜源[J].原子能科学技术,1980(1). |
| 作者姓名： | 陈庆江 杨景霞 |
| 摘 要： | 引言为了制得高计数效率的4πβ薄膜源,除了尽量减小源斑上固体物质的含量外,还必须控制源斑上晶体粒子大小(一般小于1微米)并均匀地分布于源上。为此,洛温撒尔(G.C.Lowenthal)用电喷涂阴,阳离子交换树脂到金属化的VYNS薄膜上制成薄树脂底 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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