| MoO_3含量对VO_2薄膜电阻率变化的影响 |
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| 引用本文： | 马兰,杨绍利,高仕忠. MoO_3含量对VO_2薄膜电阻率变化的影响[J]. 功能材料, 2010, 41(Z2) |
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| 作者姓名： | 马兰 杨绍利 高仕忠 |
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| 作者单位： | 攀枝花学院,生物与化学工程学院,四川,攀枝花,617000;四川省钒钛材料工程研究中心,四川,攀枝花,617000 |
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| 摘 要： | 研究了掺入MoO3时VO2薄膜电阻率的变化;建立了VO2薄膜电阻率突变数量级S随杂质含量变化的数学模型,进行了理论计算及与实测值的对比。结果表明,S随MoO3掺入量的增大而减小,采用该数学模型可以很好地预测S值的大小。
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| 关 键 词： | 薄膜 电阻率变化 杂质 |
Influence of MoO3 content for change of resistivity in VO2 thin films |
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| MA Lan,YANG Shao-li,GAO Shi-zhong. Influence of MoO3 content for change of resistivity in VO2 thin films[J]. Journal of Functional Materials, 2010, 41(Z2) |
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| Authors: | MA Lan YANG Shao-li GAO Shi-zhong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | VO2 |
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