| Mn+离子注入GaN薄膜的磁性研究 |
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| 引用本文： | 石瑛,付德君,林玲,蒋昌忠,范湘军. Mn+离子注入GaN薄膜的磁性研究[J]. 功能材料, 2005, 36(10): 1514-1516,1520 |
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| 作者姓名： | 石瑛 付德君 林玲 蒋昌忠 范湘军 |
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| 作者单位： | 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072;武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072;武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072;武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072;武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（10205010）;教育部留学回国人员科研启动基金资助项目（教外司留2003年14号） |
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| 摘 要： | 在(0001)面的蓝宝石衬底上用MOCVD法生长纤锌矿结构的GaN.GaN膜总厚度为4μm,表层为0.5μm厚的掺Mg的p型层.用90keV的Mn+离子对处于室温下的GaN进行离子注入,注入剂量为1×1015～5×1016ions/cm2.对注入的样品在N2气流中经约800℃进行快速热退火处理,时间为30～90s.样品的磁性用超导量子干涉仪(SQUID)进行分析.未注入的p型GaN薄膜是抗磁性的,而Mn+注入的GaN显现顺磁性(注入剂量为1×1015ions/cm2)和铁磁性(注入剂量为5×1015～5×1016ions/cm2).结合X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对GaN薄膜在注入和退火后的结构和形貌研究,揭示Mn+ 注入是进行GaN磁性掺杂的有效手段,在Mn+ 注入p型GaN、制备得到的(Ga,Mn)N稀磁半导体中,空穴调制铁磁性是其主要的磁性机制.
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| 关 键 词： | GaN 离子注入 磁性 |
| 文章编号： | 1001-9731（2005）10-1514-03 |
| 收稿时间： | 2004-12-20 |
| 修稿时间： | 2004-12-202005-03-20 |
The study of the magnetic characteristics in Mn+ implanted GaN film |
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| SHI Ying,FU Dejun,LIN Ling,JIANG Chang-zhong,FAN Xiang-jun. The study of the magnetic characteristics in Mn+ implanted GaN film[J]. Journal of Functional Materials, 2005, 36(10): 1514-1516,1520 |
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| Authors: | SHI Ying FU Dejun LIN Ling JIANG Chang-zhong FAN Xiang-jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN ion implantation magnetization |
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