| 基于图形衬底生长的GaN位错机制分析 |
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| 引用本文： | 江洋,罗毅,薛小琳,汪莱,李洪涛,席光义,赵维,韩彦军. 基于图形衬底生长的GaN位错机制分析[J]. 光电子．激光, 2008, 19(4): 478-481 |
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| 作者姓名： | 江洋 罗毅 薛小琳 汪莱 李洪涛 席光义 赵维 韩彦军 |
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| 作者单位： | 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 北京市科委科研项目 |
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| 摘 要： | 采用缺陷选择性腐蚀法结合光学显微镜及原子力显微镜(AFM)对金属有机化合物气相外延(MOVPE)在蓝宝石图形衬底(PSS)上生长的非掺杂GaN体材料的位错产生机制进行了研究,分析结果表明,位错来源于三个方面:一是"二步法"生长机制引入的位错;二是是由于图形衬底上不同区域GaN晶体相互连接时由于晶面不连续所造成的位错群;三是由于图形衬底制作工艺过程中引入的表面污染与损伤.
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| 关 键 词： | GaN 金属有机气相外延 图形衬底 位错 缺陷选择性腐蚀 图形衬底 生长机制 机制分析 substrate sapphire patterned mechanism analysis generation 损伤 表面污染 工艺过程 制作 连续 晶面 互连接 晶体相 区域 二步法 来源 结果 |
| 文章编号： | 1005-0086(2008)04-0478-04 |
| 修稿时间： | 2007-04-10 |
Dislocation generation mechanism analysis of GaN grown on patterned sapphire substrate |
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| JIANG Yang,LUO Yi,XUE Xiao-lin,WANG Lai,LI Hong-tao,XI Guang-yi,ZHAO Wei,HAN Yan-jun. Dislocation generation mechanism analysis of GaN grown on patterned sapphire substrate[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2008, 19(4): 478-481 |
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| Authors: | JIANG Yang LUO Yi XUE Xiao-lin WANG Lai LI Hong-tao XI Guang-yi ZHAO Wei HAN Yan-jun |
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| Affiliation: | JIANG Yang,LUO Yi,XUE Xiao-lin,WANG Lai,LI Hong-tao,XI Guang-yi,ZHAO Wei,HAN Yan-jun(State Key Lab on Integrated Optoelectronics,Department of Electronic Engineering,Tsinghua University,Beijing 100084,China) |
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| Abstract: | The growth proccess of undoped GaN on patterned sapphire substrate(PSS)was achieved by metal organic vapor phase deposition(MOVPE).And the defect-selective etching method combined with optical microscope and atomic force microscope(AFM)was carried out to study the mechanism of dislocation generation of GaN on PSS.The results indicate that the dislocation is probably generated from three aspects:two-step growth process,the coalsence of GaN crystal from separate areas of PSS,and the substrate surface damage a... |
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| Keywords: | GaN MOCVD patterned sapphire substrate dislocation defect-selective etching |
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