| GaAs衬底上立方GaN的低温生长 |
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| 引用本文： | 顾彪,徐茵,秦福文,丛吉远,张砚臣,孙捷.GaAs衬底上立方GaN的低温生长[J].稀有金属,1998,22(2):143-145. |
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| 作者姓名： | 顾彪 徐茵 秦福文 丛吉远 张砚臣 孙捷 |
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| 作者单位： | 大连理工大学电磁工程系,大连116023 |
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| 基金项目： | 国家863新材料领域,国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 研究了以（００１）ＧａＡｓ为衬底的用ＥＣＲＰＡＭＯＣＶＤ法生长的立方ＧａＮ薄膜的主要性质，阐述了实验过程与生长用设备。在生长过程中，衬底温度约为６００℃，反应器内压力约０４Ｐａ。
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| 关 键 词： | 立方GaN 低温生长 活化氮源 ECR-PAMOCVD |
Low Temperature Growth of Cubic GaN on GaAs Substrate |
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| Gu Biao,Xu Yin,Qin Fuwen,Cong Jiyuan,Zhang Yanchen,Sun Jie.Low Temperature Growth of Cubic GaN on GaAs Substrate[J].Chinese Journal of Rare Metals,1998,22(2):143-145. |
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| Authors: | Gu Biao Xu Yin Qin Fuwen Cong Jiyuan Zhang Yanchen Sun Jie |
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