| 晶片键合质量的红外检测系统设计 |
| |
| 引用本文： | 周平,廖广兰,史铁林,汤自荣,聂磊,林晓辉.晶片键合质量的红外检测系统设计[J].半导体技术,2006,31(11):819-822,827. |
| |
| 作者姓名： | 周平 廖广兰 史铁林 汤自荣 聂磊 林晓辉 |
| |
| 作者单位： | 华中科技大学,机械科学与工程学院,武汉,430074;华中科技大学,武汉光电国家试验室,武汉,430074 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
,
国家自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 基于晶片的红外透射原理,设计并搭建了晶片直接键合质量红外检测装置,并利用图像处理技术开发了相应的软件模块,可以快速获取键合界面的特性参数,如空洞分布、大小及键合率等,从而实现晶片直接键合质量的快速评估.同时,将该红外检测装置与硅片键合装置结合一体,可以实时监测硅片直接键合工艺.通过分析不同工艺条件下所获得的键合片质量,包括键合率、缺陷分布以及键合强度等参数的比较,可以有助于理解晶片键合的机理,实现键合工艺的优化.
|
| 关 键 词： | 键合质量 红外检测 图像法 晶片键合 晶片键合 键合质量 红外检测 系统设计 Quality Wafer Bonding Detecting 工艺的优化 机理 比较 特性参数 键合强度 缺陷分布 键合片 工艺条件 分析 键合工艺 硅片键合 实时监测 结合 |
| 文章编号： | 1003-353X（2006）11-0819-04 |
| 收稿时间： | 2006-05-31 |
| 修稿时间： | 2006-05-31 |
IR System for Detecting Wafer Bonding Quality |
| |
| ZHOU Ping,LIAO Guang-lan,SHI Tie-lin,TANG Zi-rong,NIE Lei,LIN Xiao-hui.IR System for Detecting Wafer Bonding Quality[J].Semiconductor Technology,2006,31(11):819-822,827. |
| |
| Authors: | ZHOU Ping LIAO Guang-lan SHI Tie-lin TANG Zi-rong NIE Lei LIN Xiao-hui |
| |
| Abstract: | Based on the infrared transmission theory, an IR-detecting instrument for testing waferbonding quality were framed. Image processing technology was used for exploiting relevant softwaremodule, the characteristic parameters of the bonding interface, such as voids' distribution, size, andbond yield could be quickly obtained. Sequentially, the primary evaluation of the wafer bondingquality was realized. Combined this instrument with wafer-bonder, the real-time supervision of bond-ing process was achieved. Combining bonding strength, the parameter of bonding techniques wasoptimized by analyzing the wafer bonding quality, which include the bond yield and distribution ofvoids, in different bonding condition. It is helpful for comprehening the mechanism of wafer bonding. |
| |
| Keywords: | bonding quality IR detection image method wafer bonding |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
