| 以ZnO为缓冲层制备硅基氮化镓薄膜 |
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| 引用本文： | 何建廷,宿元斌,杨淑连,卢恒炜.以ZnO为缓冲层制备硅基氮化镓薄膜[J].功能材料,2010,41(Z1). |
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| 作者姓名： | 何建廷 宿元斌 杨淑连 卢恒炜 |
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| 作者单位： | 1. 山东理工大学,电气与电子工程学院,山东,淄博,255049
2. 山东理工大学,电气与电子工程学院,山东,淄博255049 |
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| 摘 要： | 用脉冲激光沉积法(PLD)先在600℃的Si(111)衬底上沉积ZnO薄膜,然后用磁控溅射法再沉积GaN薄膜。直接沉积得到的GaN薄膜是非晶结构,将样品在氨气氛围中在850、900、950℃下退火15min得到结晶的GaN薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)、光致发光谱(PL)和扫描电子显微镜(SEM)研究了ZnO缓冲层对GaN薄膜的结晶和形貌的影响。
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| 关 键 词： | ZnO缓冲层 GaN薄膜 退火 结晶 |
Fabrication of GaN films on ZnO buffer layer deposited on Si(111)substrates |
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| HE Jian-ting,SU Yuan-bin,YANG Shu-lian,LU Heng-wei.Fabrication of GaN films on ZnO buffer layer deposited on Si(111)substrates[J].Journal of Functional Materials,2010,41(Z1). |
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| Authors: | HE Jian-ting SU Yuan-bin YANG Shu-lian LU Heng-wei |
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