长寿命半导体激光器

三年前我们已制成室温连续振荡半导体激光器，这种激光器采用了具有直接带隙型结构的GaAs单晶作为产生激光的活性层。同早期的半导体材料诸如Si或Ge相比，单晶的性质复杂、生长也不易控制，有人把它叫做光调谐晶体。