| EEPROM单元的电荷保持特性 |
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| 引用本文： | 成伟,郝跃,马晓华,刘红侠. EEPROM单元的电荷保持特性[J]. 半导体学报, 2006, 27(7): 1290-1293 |
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| 作者姓名： | 成伟 郝跃 马晓华 刘红侠 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目 , 国家科技攻关项目 , 教育部重点科研项目 |
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| 摘 要： | 利用理论推导和实验方法对电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元在给定电压下的电荷保持特性进行了分析和研究,得出了EEPROM单元电荷保持能力的理论公式,得到了单元保持状态下的电特性曲线,发现在双对数坐标下,阈值电压的退化率与时间成线性关系.在假定电荷流失机制为Fowler-Nordheim隧穿效应的情况下,推出了EEPROM单元在给定外加电压下的电荷保持时间,并通过实验得出了简化的EEPROM单元寿命公式.
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| 关 键 词： | 电可擦除可编程只读存储器 电荷保持 阈值电压 Fowler-Nordheim隧穿效应 EEPROM 单元 元电荷 特性曲线 Cells Retention 寿命公式 简化 实验 保持时间 外加电压 情况 隧穿效应 流失机制 线性关系 退化率 阈值电压 双对数坐标 发现 保持状态 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)07-1290-04 |
| 收稿时间： | 2005-11-18 |
| 修稿时间： | 2006-01-24 |
Data Retention in EEPROM Cells |
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| Cheng Wei,Hao Yue,Ma Xiaohua and Liu Hongxia. Data Retention in EEPROM Cells[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(7): 1290-1293 |
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| Authors: | Cheng Wei Hao Yue Ma Xiaohua Liu Hongxia |
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| Abstract: | We present a theoretical and experimental investigation of the date retention ability of EEPROM cells at a given voltage.An expression for EEPROM data retention is derived.The electrical characteristics are presented.The result shows that the data retention time varies linearly with the applied voltage in a log-log plot.Under the assumption that the charge loss mechanism is Fowler-Nordheim tunneling through the thin oxide,the data retention time of EEPROM cells is derived,and the experience formula is checked by experiment. |
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| Keywords: | EEPROM charge retention threshold voltage Fowler-Nordheim |
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