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杂志ISSN号
缺陷问题驱动浸没光刻技术发展
作者姓名:
Laura Peters
作者单位:
Semiconductor International
摘 要:
涂层的应用导致晶圆上缺陷的增加或者使光刻表现发生变化虽然现在推测浸没光刻技术的量产时间还太早,但是许多公司正在努力确定生产线何时能从干法工艺跃为湿法工艺。根据最近在San Jose举办的
关 键 词:
光刻技术
浸没
缺陷
问题驱动
300mm晶圆
干法工艺
SPIE
TSMC
生产线
湿法工艺
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