| 一种新型单晶硅SO I 高温压力传感器 |
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| 引用本文： | 李育刚,姚素英,张生才,赵毅强,张为,张维新.一种新型单晶硅SO I 高温压力传感器[J].传感技术学报,2002,15(4):322-325. |
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| 作者姓名： | 李育刚 姚素英 张生才 赵毅强 张为 张维新 |
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| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院,天津,300072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (基金号 :698762 0 7) |
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| 摘 要： | 单晶硅 SOI高温压力传感器是一种新型高性能高温压力传感器。它与扩散硅压力传感器相比有较高的工作温度 ,与多晶硅高温压力传感器相比有更高的工作灵敏度。这主要得益于它采用了单晶硅膜的 SOI结构。本文给出了这种压力传感器的工艺生产过程 ,并相对深入地讨论了各向异性腐蚀硅杯和静电封接这两道工序。介绍了此种压力传感器的工作原理。最后给出了测试结果及结论。
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| 关 键 词： | 单晶硅SOI结构 灵敏度 高温压力传感器 |
| 文章编号： | 1004-1699(2002)04-0322-04 |
| 修稿时间： | 2002年7月26日 |
A New Type High- temperature SO IMonocrystal- sil icon
Pressure Sensor |
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| L I Y ug ang,YA O S uy ing,ZH A N G S heng cai,ZH A O Y iqiang,ZH A N G W ei,ZH A N G W eix in.A New Type High- temperature SO IMonocrystal- sil icon
Pressure Sensor[J].Journal of Transduction Technology,2002,15(4):322-325. |
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| Authors: | L I Y ug ang YA O S uy ing ZH A N G S heng cai ZH A O Y iqiang ZH A N G W ei ZH A N G W eix in |
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| Affiliation: | S chool of electronics and inf orm ation eng ineering , T ianj in U niversity , T ianj in, 300072 P. R. China |
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| Abstract: | High temperature SOI Monocrystal silicon Pressure Sensor is a new type high temperature pressure sensor with high performances. Compared with Doped Mono crystalline Silicon Pressure Sensor, it shows great advantages in high operating temperature. And it shows a higher sensitivity over high temperature Polysilicon Pressure Sensor. These benefit from the SOI Monocrystal silicon structure it possesses. This paper reports the fabrication processes of this pressure sensor and discusses two techniques, silicon anisotropic etching and Si Glass anodic bonding, in detail. This paper also discusses operation principle of it. At last, the testing results are presented and a conclusion is made. |
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| Keywords: | SOI monocrystal silicon structure sensitivity high temperature pressure sensor |
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