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| 64位平面双扩散单片存贮器芯片 | |
| 作者姓名： | B.Agusta |
| 摘 要： | 本文将描述集成电路工艺在存贮器应用中的成功开拓。 两片相同的64位三维组织的单片硅存贮器芯片焊接点朝下安装在一块标准组件上,如图1所示构成高速不破坏读出缓冲存贮器。每个存贮芯片工作时功耗为112毫瓦,并给出差动集电极输出2毫安的“1”信号,相应的噪音信号可忽略。不破坏读“1”信号延迟为7毫 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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