首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

膜去溶进样高分辨电感耦合等离子质谱仪测定半导体级盐酸中杂质元素
引用本文:陈黎明.膜去溶进样高分辨电感耦合等离子质谱仪测定半导体级盐酸中杂质元素[J].化学试剂,2012,34(10):913-915.
作者姓名:陈黎明
作者单位:上海市计量测试技术研究院,上海,201203
基金项目:国家科技部资助项目(2009IM032300)
摘    要:利用高分辨电感耦合等离子体质谱测定半导体级高纯盐酸中的痕量金属杂质,用膜去溶进样系统直接进样,用标准加入法进行上机检测,无需前处理、快速,避免了在样品前处理时的污染问题.高分辨电感耦合等离子体质谱可以消除多分子离子干扰,降低检出限,提高定量准确性.该方法检出限为0.41~48.15ng/L,加标回收率为83.1%~113.8%.

关 键 词:膜去溶  半导体级盐酸  高分辨电感耦合等离子体质谱  杂质元素

Determination of impurities in semiconductor grade hydrochloric acid by HR-ICP-MS with membrane desolvation
CHEN Li-ming.Determination of impurities in semiconductor grade hydrochloric acid by HR-ICP-MS with membrane desolvation[J].Chemical Reagents,2012,34(10):913-915.
Authors:CHEN Li-ming
Affiliation:CHEN Li-ming(1.Shanghai Institute of Measurement and Testing Technology,Shanghai 201203,China)
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号