| 抛光液中各组分对Co CMP性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 冯子璇,崔浩祥,杨程辉,孙晓琴,牛新环. 抛光液中各组分对Co CMP性能的影响[J]. 半导体技术, 2022, 0(1) |
| |
| 作者姓名： | 冯子璇 崔浩祥 杨程辉 孙晓琴 牛新环 |
| |
| 作者单位： | 河北工业大学电子信息工程学院;天津市电子材料与器件重点实验室 |
| |
| 基金项目： | 国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金资助项目(F2021202009)。 |
| |
| 摘 要： | 钴(Co)的化学机械抛光(CMP)要求有较高的去除速率(大于100 nm/min)和洁净平整的表面。采用新型弱碱性抛光液,研究不同成分(如过氧化氢(H2O2)、1,2,4-三氮唑(TAZ)、异辛醇聚氧乙烯醚(JFCE))对Co CMP性能的影响。结果表明,抛光液中H2O2体积分数为0.4%、pH值为8、甘氨酸(GLY)浓度为0.266 mol/L时,Co的去除速率最大,为763.53 nm/min。为了缓解Co表面的化学腐蚀,加入0.022 mol/L的TAZ作为抑制剂和体积分数为1.3%的JFCE作为表面活性剂后,Co的去除速率得到有效抑制,为489.74 nm/min。对抛光前后的Co表面进行原子力显微镜(AFM)测试,结果表明,Co表面湿润性增加,表面粗糙度明显下降。研究结果对Co布线的工业应用具有一定的指导意义。
|
| 关 键 词： | 化学机械抛光(CMP) 钴(Co) 去除速率 表面粗糙度 抛光液 |
Effect of Different Components in Polishing Slurry on Properties of Cobalt CMP |
| |
| Feng Zixuan,Cui Haoxiang,Yang Chenghui,Sun Xiaoqin,Niu Xinhuan. Effect of Different Components in Polishing Slurry on Properties of Cobalt CMP[J]. Semiconductor Technology, 2022, 0(1) |
| |
| Authors: | Feng Zixuan Cui Haoxiang Yang Chenghui Sun Xiaoqin Niu Xinhuan |
| |
| Affiliation: | (School of Electronic and Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China;Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices,Tianjin 300130,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | chemical mechanical polishing(CMP) cobalt(Co) removal rate surface roughness polishing slurry |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
|
