| 5G毫米波通信用低插损高隔离GaAs PHEMT单刀双掷开关 |
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| 引用本文： | 袁丹丹,张志浩,张艺,殷锐昊,章国豪. 5G毫米波通信用低插损高隔离GaAs PHEMT单刀双掷开关[J]. 半导体技术, 2022, 0(1) |
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| 作者姓名： | 袁丹丹 张志浩 张艺 殷锐昊 章国豪 |
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| 作者单位： | 广东工业大学信息工程学院;河源广工大协调创新研究院 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划资助项目(2018YFB1802100);广东省“珠江人才计划”本土创新科研团队资助项目(2017BT01X168)。 |
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| 摘 要： | 基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,实现了一款用于5G毫米波通信的低插损高隔离单刀双掷(SPDT)开关芯片。为了降低插损,每个开关支路通过四分之一波长阻抗变换器连接到天线端,并通过优化传输线和器件总栅宽实现了良好的端口匹配;为了提高隔离度,采用了三并联多节枝的分布式架构形成高的输入阻抗状态,实现信号的全反射。芯片面积为2.1 mm×1.1 mm。在片测试结果显示,在24.25~29.5 GHz的5G毫米波频段内该SPDT开关实现了小于1.1 dB的极低插损和大于32 dB的高隔离度,1 dB压缩点输入功率大于26 dBm。
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| 关 键 词： | 5G毫米波 单刀双掷(SPDT)开关 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 低插损 高隔离 |
Low Insertion Loss High Isolation GaAs PHEMT Single-Pole Double-Throw Switch for 5G Millimeter-Wave Communication |
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| Yuan Dandan,Zhang Zhihao,Zhang Yi,Yin Ruihao,Zhang Guohao. Low Insertion Loss High Isolation GaAs PHEMT Single-Pole Double-Throw Switch for 5G Millimeter-Wave Communication[J]. Semiconductor Technology, 2022, 0(1) |
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| Authors: | Yuan Dandan Zhang Zhihao Zhang Yi Yin Ruihao Zhang Guohao |
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| Affiliation: | (School of Information Engineering,Guangdong University of Technology,Guangzhou 510006,China;Heyuan Synergy Innovation Institute of GDUT,Heyuan 517000,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 5G millimeter-wave single-pole double-throw(SPDT)switch GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT) low insertion loss high isolation |
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