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| 0．1μm栅长的CMOS电路门延迟为11．8Ps | |
| 引用本文： | 孙再吉.0．1μm栅长的CMOS电路门延迟为11．8Ps[J].固体电子学研究与进展,1994(3). |
| 作者姓名： | 孙再吉 |
| 摘 要： | ０．１μｍ栅长的ＣＭＯＳ电路门延迟为１１．８Ｐｓ据《ＮＩＫＫＩＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ》１９９３年第１２—２０期报道，１９９３年１２月６～８日在美国召开的国际电子器件会议（ＩＥＤＭ）上，美国ＡＴ＆Ｔ贝尔实验室，ＩＢＭ公司，日本富士通研究所和东芝研究开发... |
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