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SiO2平面光波导的PECVD制备和膜层特性研究
引用本文:陈思乡,江征风,胡业发,刘文. SiO2平面光波导的PECVD制备和膜层特性研究[J]. 光通信研究, 2005, 0(5): 68-70
作者姓名:陈思乡  江征风  胡业发  刘文
作者单位:武汉理工大学,机电工程学院,湖北,武汉,430070;武汉邮电科学研究院,湖北,武汉,430074
摘    要:研究了等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)的光波导膜层的光学特性,论述了沉积工艺参量和退火处理对膜层性能的影响,优化工艺获得了高质量的波导膜层,成功设计制作了在1 550nm中心波长损耗低于0.1db/cm的平面光波导和阵列波导光栅(AWG)器件。

关 键 词:平面光波导  SiO2波导  等离子体增强化学汽相沉积
文章编号:1005-8788(2005)05-0068-03
收稿时间:2004-12-03
修稿时间:2004-12-03

PECVD deposition of silica plane waveguides and the film properties
CHEN Si-xiang,JIANG Zheng-feng,HU Ye-fa,LIU Wen. PECVD deposition of silica plane waveguides and the film properties[J]. Study on Optical Communications, 2005, 0(5): 68-70
Authors:CHEN Si-xiang  JIANG Zheng-feng  HU Ye-fa  LIU Wen
Abstract:This paper studied the optical properties of SiO_2 layers obtained by use of plasme-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), expounded the effect of deposition parameters and annealing on the layer properties. Through optimization of process technology, we obtained high-quality waveguide film layer and fabricated low-loss planar optical waveguide and AWG devices whose propagation loss is less than 0.1 dB/cm at 1 550 nm (center wavelength).
Keywords:planar optical waveguide   silica waveguides   PECVD
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