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Ku-波段MEMS单刀双掷开关的设计与模拟
引用本文:严捷,廖小平,朱健,陈洁.Ku-波段MEMS单刀双掷开关的设计与模拟[J].中国机械工程,2005,16(Z1):243-244.
作者姓名:严捷  廖小平  朱健  陈洁
作者单位:1. 东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096
2. 东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096;南京电子器件研究所,南京,210016
摘    要:利用Ku-波段MEMS单刀单掷膜开关和成熟的微带线技术设计了一种Ku-波段MEMS单刀双掷膜开关.模拟结果为阈值电压19V左右,工作于Ku-波段(8~12)GHz,在中心频率15GHz处,导通开关的插入损耗为-0.15dB,截止开关的隔离度为-33dB,开关的回波损耗为-27dB.

关 键 词:MEMS  单刀双掷开关  MEMS膜开关  插入损耗  隔离度  回波损耗
文章编号:1004-132X(2005)S1-0243-02
修稿时间:2005年4月5日

Research and Design of a Ku-band MEMS Single-Pole-Double-Throw Switch
Yan Jie,Liao Xiaoping,Zhu Jian,Chen Jie.Research and Design of a Ku-band MEMS Single-Pole-Double-Throw Switch[J].China Mechanical Engineering,2005,16(Z1):243-244.
Authors:Yan Jie  Liao Xiaoping  Zhu Jian  Chen Jie
Abstract:
Keywords:
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