| 多晶硅衬底上的RF MEMS开关 |
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| 引用本文： | 张正元,温志渝,徐世六,张正番,刘玉奎,李开成,黄尚廉.多晶硅衬底上的RF MEMS开关[J].半导体学报,2003,24(8):798-802. |
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| 作者姓名： | 张正元 温志渝 徐世六 张正番 刘玉奎 李开成 黄尚廉 |
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| 作者单位： | [1]重庆大学光电工程学院,重庆400044;国家模拟集成电路重点实验室,重庆400060 [2]重庆大学光电工程学院,重庆400044 [3]国家模拟集成电路重点实验室,重庆400060 |
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| 基金项目： | 重庆市科委科技攻关资助项目 (No .2 0 0 170 3 6)~~ |
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| 摘 要： | 在微机械开关与硅IC工艺设计和兼容方面进行了改进,获得了一种可与IC工艺兼容的RFMEMS微机械开关.采用介质隔离工艺技术把这种RFMEMS微机械开关制作在绝缘的多晶硅衬底上,实现了与IC工艺兼容;采用在金属膜桥的端点附近刻蚀一些孔的优化方法,降低了RFMEMS微机械开关的下拉电压.用TE2 819电容测试设备测试开关的电容,测得开关的开态电容、关态电容和致动电压分别为0 32 pF、6 pF和2 5V .用HP875 3C网络分析仪对RFMEMS微机械开关进行了RF特性测试,得出RFMEMS微机械开关在频率1 5GHz下关态的隔离度为35dB ,开态的插入损耗为2dB ,用示波器测得该开关的开关
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| 关 键 词： | 微机械开关 下拉电压 静电引力 金属膜 |
RF MEMS Switch on Poly-Silicon Substrate |
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| Zhang Zhengyuan,Wen Zhiyu,Xu Shiliu,Zhang Zhengfan,Liu Yukui,Li Kaicheng,Huang Shanglian.RF MEMS Switch on Poly-Silicon Substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(8):798-802. |
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| Authors: | Zhang Zhengyuan Wen Zhiyu Xu Shiliu Zhang Zhengfan Liu Yukui Li Kaicheng Huang Shanglian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RF MEMS switch pull down voltage electrostatic force metal membrane |
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