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多晶硅衬底上的RF MEMS开关
引用本文:张正元,温志渝,徐世六,张正番,刘玉奎,李开成,黄尚廉. 多晶硅衬底上的RF MEMS开关[J]. 半导体学报, 2003, 24(8): 798-802
作者姓名:张正元  温志渝  徐世六  张正番  刘玉奎  李开成  黄尚廉
作者单位:[1]重庆大学光电工程学院,重庆400044;国家模拟集成电路重点实验室,重庆400060 [2]重庆大学光电工程学院,重庆400044 [3]国家模拟集成电路重点实验室,重庆400060
基金项目:重庆市科委科技攻关资助项目 (No .2 0 0 170 3 6)~~
摘    要:在微机械开关与硅IC工艺设计和兼容方面进行了改进,获得了一种可与IC工艺兼容的RFMEMS微机械开关.采用介质隔离工艺技术把这种RFMEMS微机械开关制作在绝缘的多晶硅衬底上,实现了与IC工艺兼容;采用在金属膜桥的端点附近刻蚀一些孔的优化方法,降低了RFMEMS微机械开关的下拉电压.用TE2 819电容测试设备测试开关的电容,测得开关的开态电容、关态电容和致动电压分别为0 32 pF、6 pF和2 5V .用HP875 3C网络分析仪对RFMEMS微机械开关进行了RF特性测试,得出RFMEMS微机械开关在频率1 5GHz下关态的隔离度为35dB ,开态的插入损耗为2dB ,用示波器测得该开关的开关

关 键 词:微机械开关   下拉电压   静电引力   金属膜

RF MEMS Switch on Poly-Silicon Substrate
Zhang Zhengyuan,Wen Zhiyu,Xu Shiliu,Zhang Zhengfan,Liu Yukui,Li Kaicheng,Huang Shanglian. RF MEMS Switch on Poly-Silicon Substrate[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(8): 798-802
Authors:Zhang Zhengyuan  Wen Zhiyu  Xu Shiliu  Zhang Zhengfan  Liu Yukui  Li Kaicheng  Huang Shanglian
Abstract:
Keywords:RF MEMS switch  pull down voltage  electrostatic force  metal membrane
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