| InGaN:Mg薄膜的电学特性研究 |
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| 引用本文： | 牛南辉,王怀兵,刘建平,邢燕辉,韩军,邓军,沈光地.InGaN:Mg薄膜的电学特性研究[J].固体电子学研究与进展,2008,28(1):4-7. |
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| 作者姓名： | 牛南辉 王怀兵 刘建平 邢燕辉 韩军 邓军 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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北京市教委科研项目
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北京工业大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响.结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升高.在相同的生长温度下,空穴浓度随掺Mg量的增加,先升高后降低.通过对这两个生长条件的优化,在760℃、CP2Mg与TMGa摩尔流量之比为2.2‰时制备出了空穴浓度高达2.4×1019cm-3的p-InGaN:Mg薄膜.这对进一步提高GaN基电子器件与光电子器件的性能有重要意义.
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| 关 键 词： | 铟镓氮 镁掺杂 霍尔测试 X射线双晶衍射 原子力显微镜 金属有机物化学气相淀积 |
| 文章编号： | 1000-3819(2008)01-004-04 |
| 修稿时间： | 2006年6月8日 |
Investigation of Electrical Properties of InGaN: Mg Films |
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| NIU Nanhui,WANG Huaibing,LIU Jianping,XING Yanhui,HAN Jun,DENG Jun,SHEN Guangdi.Investigation of Electrical Properties of InGaN: Mg Films[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2008,28(1):4-7. |
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| Authors: | NIU Nanhui WANG Huaibing LIU Jianping XING Yanhui HAN Jun DENG Jun SHEN Guangdi |
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