| 石墨烯-GaN肖特基紫外探测器 |
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| 引用本文： | 许坤,徐晨,郭旺,解意洋.石墨烯-GaN肖特基紫外探测器[J].半导体光电,2016,37(1):30-35. |
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| 作者姓名： | 许坤 徐晨 郭旺 解意洋 |
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| 作者单位： | 北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124;中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61376049). |
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| 摘 要： | 报道了使用石墨烯作为阳极材料的GaN肖特基型紫外探测器.介绍了光敏面为1 mm×1 mm的新型肖特基紫外探测器的制备过程.并对器件进行了响应光谱、I-V特性测试.器件的响应光谱较为平坦,峰值响应度为0.175 A/W;通过对石墨烯进行化学修饰,使峰值响应度增加到0.23 A/W.并根据热电子发射理论,计算出了器件掺杂前后的肖特基势垒高度分别为0.477 eV和0.882 eV,验证了器件性能的提高主要原因是石墨烯功函数的增加.
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| 关 键 词： | GaN 肖特基 紫外探测器 石墨烯 响应光谱 |
Graphene-GaN Schottky Ultraviolet Detector |
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| XU Kun,XU Chen,GUO Wang,XIE YIyang.Graphene-GaN Schottky Ultraviolet Detector[J].Semiconductor Optoelectronics,2016,37(1):30-35. |
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| Authors: | XU Kun XU Chen GUO Wang XIE YIyang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN Schottky ultraviolet detector graphene response spectrum |
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