| 感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶掩模的异常性 |
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| 引用本文： | 乔辉,刘诗嘉,刘向阳,朱龙源,兰添翼,赵水平,王妮丽,李向阳. 感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶掩模的异常性[J]. 半导体光电, 2016, 37(1): 59-62 |
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| 作者姓名： | 乔辉 刘诗嘉 刘向阳 朱龙源 兰添翼 赵水平 王妮丽 李向阳 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所中科院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083;中国科学院大学,北京100039;中国科学院上海技术物理研究所中科院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61106097). |
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| 摘 要： | 利用光刻胶作刻蚀掩模对半导体样品进行感应耦合等离子体干法刻蚀时发现光刻胶掩模在刻蚀后表面出现凸起和孔洞等异常现象,等离子体会透过部分孔洞对样品表面产生刻蚀损伤.利用探针式表面轮廓仪和激光共聚焦显微镜对这些异常现象进行了分析,认为是刻蚀时等离子体气氛中的紫外线对作为掩模的光刻胶进行了曝光作用而释放出一定量的氮气,从而在光刻胶内外形成了压强差而使光刻胶局部表面产生微凸起;当光刻胶的强度无法阻止内部氮气的膨胀时,则会发生类似爆炸的效果,在光刻胶表面形成孔洞状缺陷,导致掩模保护作用的失效.
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| 关 键 词： | 刻蚀 干法刻蚀 刻蚀掩模 光刻胶 感应耦合等离子体 |
Abnormality of Photoresist Mask Exposed to Inductively Coupled Plasma Dry Etching |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | etching dry etching etching mask photoresist inductively coupled plasma |
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