| GaSb晶片表面残留杂质分析 |
| |
| 引用本文： | 程雨,刘京明,苏杰,刘彤,杨凤云,董志远,赵有文. GaSb晶片表面残留杂质分析[J]. 半导体光电, 2016, 37(1): 55-58 |
| |
| 作者姓名： | 程雨 刘京明 苏杰 刘彤 杨凤云 董志远 赵有文 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京,100083 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61744104). |
| |
| 摘 要： | 对不同条件下制备的锑化镓抛光晶片表面进行了TOF-SIMS测试比较.结果表明使用体积比为5∶1的HCl与CH3COOH的混合溶液清洗腐蚀(100) GaSb晶片表面,可以有效地去除金属离子、含S离子和大部分有机物,而使用(NH4)2S/(NH4)2SO4混合溶液方法钝化表面,可以使表面大部分Ga和Sb元素硫化,降低了表面态密度.分析比较了清洗和钝化工艺对晶片表面化学成分的影响.
|
| 关 键 词： | 锑化镓 TOF-SIMS 表面氧化 钝化 |
Residual Impurities Analysis on the Surface of Gallium Atimonide Wafers |
| |
| CHENG Yu,LIU Jingming,SU Jie,LIU Tong,YANG Fengyun,DONG Zhiyuan,ZHAO Youwen. Residual Impurities Analysis on the Surface of Gallium Atimonide Wafers[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2016, 37(1): 55-58 |
| |
| Authors: | CHENG Yu LIU Jingming SU Jie LIU Tong YANG Fengyun DONG Zhiyuan ZHAO Youwen |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | GaSb TOF-SIMS surface oxidation passivation |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
