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Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列的制备和光电性能
引用本文:席金芳,鲁双伟,杨峰,蔡芳共,马文利,邹龙生,谢思思,张勇,阚香. Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列的制备和光电性能[J]. 半导体光电, 2016, 37(1): 50-54
作者姓名:席金芳  鲁双伟  杨峰  蔡芳共  马文利  邹龙生  谢思思  张勇  阚香
作者单位:西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031;西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031;西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031;西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031;西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031;西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031;西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031;西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031;西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031
基金项目:国家磁约束核聚变能研究专项基金项目(2011GB112001;2013GB110001),国家“863”计划项目(2014AA032701),国际合作项目(2013DFA51050),国家自然科学基金项目(51271155;51377138),中央高校基本科研基金项目(2682013CX004;2682013CX004),四川省自然科学基金项目(2011JY0031;2011JY0130),教育部博士点新教师基金项目(20120184120024).
摘    要:结合水热法和阳极氧化法合成了Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列,采用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射谱表征了异质结阵列的形貌和晶体结构.暗态下的电流-电压曲线表明Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列具有整流效应.相比于纯的TiO2纳米管阵列,Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列的光电性能有了显著地提升:在AM1.5标准光强作用下,光电转换效率从0.07%增长到0.40%,表面光电压响应范围从紫外光区拓宽至可见光区.结合表面光电压谱和相位谱,分析了Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列中光生载流子的分离和传输性能.

关 键 词:Sb2S3  TiO2纳米管阵列  异质结  表面光电压谱  相位谱  光电性能

Preparation and Photoelectrical Properties of Sb2S3/TiO2 Nanotube Heterojunction Arrays
Abstract:
Keywords:Sb2S3  TiO2 nanotube arrays  heterojunction  surface photovoltage spectrum  phase spectrum  photoelectrical property
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