| 50nm及50nm以下同步辐射X射线光刻光束线设计 |
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| 引用本文： | 谢常青,陈大鹏,李兵,叶甜春,伊福廷,彭良强,韩勇,张菊芳.50nm及50nm以下同步辐射X射线光刻光束线设计[J].核技术,2004,27(5):321-324. |
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| 作者姓名： | 谢常青 陈大鹏 李兵 叶甜春 伊福廷 彭良强 韩勇 张菊芳 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究中心,北京,100010;中国科学院高能物理研究所,北京,100039 |
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| 摘 要： | X射线光刻相对于其他下一代光刻技术而言有许多优点，比如其工艺宽容度大、成品率高、景深大、曝光视场大、成本低等，更为重要的是，其技术已经比较成熟。对于100nm同步辐射X线光刻系统而言，它采用的波长通常为0．7-1．0nm，而当光刻分辨率达到50nm以下时，采用的同步辐射X射线波长范围应该为0．2—0．4nm。探讨了在北京同步辐射3B1A光刻束线上进行50nmX射线光刻的可能性。
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| 关 键 词： | X射线光刻 同步辐射 束衍生法 光刻分辨率 |
Synchrotron radiation X-ray lithography beamline design for 50nm resolution and below |
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| XIE Changqing CHEN Dapeng LI Bing YE Tianchun.Synchrotron radiation X-ray lithography beamline design for 50nm resolution and below[J].Nuclear Techniques,2004,27(5):321-324. |
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| Authors: | XIE Changqing CHEN Dapeng LI Bing YE Tianchun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | X-ray lithography Synchrotron radiation Beam propagation method Lithography resolution |
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