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| Sol-Gel法硅基铁电薄膜研究 | |
| 引用本文： | 张林涛,任天令,张武全.Sol-Gel法硅基铁电薄膜研究[J].真空科学与技术学报,2000,20(6):394-396. |
| 作者姓名： | 张林涛 任天令 张武全 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所!北京100084 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金!资助项目 (6 980 6 0 0 7) |
| 摘 要： | 介绍了用溶胶 凝胶方法制备Pb(Zr0 .53Ti0 .4 7)O3(PZT)铁电薄膜的工艺流程。以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料 ,在 90 0℃ ,30min退火条件下制备了硅基PZT铁电薄膜。实验分析结果显示 ,PZT铁电薄膜的晶化很完善。研究了PZT铁电薄膜与硅之间的界面及其对铁电薄膜品质的影响。并在此基础上实现了制备PZT铁电薄膜的低温改进工艺。 |
| 关 键 词： | 溶胶-凝胶法 锆钛酸铅 界面层 铁电薄膜 |
| 修稿时间： | 2000-01-31 |
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