| n—HgCdTe光导器件两种表面钝化研究 |
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| 引用本文： | 周咏东 方家熊. n—HgCdTe光导器件两种表面钝化研究[J]. 红外与毫米波学报, 2000, 19(3): 233-236 |
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| 作者姓名： | 周咏东 方家熊 |
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| 作者单位： | [1]苏州大学物理系 [2]中国科学院上海技术物理研究所 |
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| 摘 要： | 利用Ａｒ＾＋束溅射沉积技术实现了ＣｄＴｅ薄膜的低温生长，利用电化学方法进行了ＨｇＣｄＴｅ表面自身阳极氧化膜的生长，利用生工的ＣｄＴｅ介质膜和ＨｇＣｄＴｅ表在身阳极氧化膜对ｎ－ＨｇＣｄＴｅ光导器件进行了表面钝化。对两种器件的电阻、各项性能指标进行了测量分析，实验表明得到的ＣｄＴｅ／ＨｇＣｄＴｅ同质量已达到器件实用化水平。
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| 关 键 词： | 红外探测器 碲化镉 光导器件 表面钝化 HgCdTe |
THESTUDY OF TWO KINDS OF SURFACE PASSIVATION WAYSFOR n-HgCdTe PHOTOCONDUCTOR DEVICE |
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