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AlGaN/GaN异质结构的欧姆接触
引用本文:杨燕,王文博,郝跃.AlGaN/GaN异质结构的欧姆接触[J].半导体学报,2006,27(10):1823-1827.
作者姓名:杨燕  王文博  郝跃
作者单位:西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
基金项目:国防科技预研基金 , 国防重点实验室基金
摘    要:通过改变Ti/Al的结构及退火条件,研究了AlGaN/GaN异质结构上Ti/Al/Ni/Au金属体系所形成的欧姆接触.结果表明,Ti/Al/Ni/Au金属厚度分别为20,120,55和45nm,退火条件为高纯N2气氛中850℃、30s时在AlGaN/GaN异质结构上获得了良好的欧姆接触,其比接触电阻率为3.30×10-6Ω·cm2.SEM分析表明该条件下的欧姆接触具有良好的表面形貌,可以很好地满足高性能AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管制造的要求.

关 键 词:AlGaN/GaN  Ti/Al/Ni/Au  欧姆接触  高电子迁移率晶体管
文章编号:0253-4177(2006)10-1823-05
收稿时间:03 27 2006 12:00AM
修稿时间:5/4/2006 12:00:00 AM

Ohmic Contact to an AlGaN/GaN Heterostructure
Yang Yan,Wang Wenbo and Hao Yue.Ohmic Contact to an AlGaN/GaN Heterostructure[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(10):1823-1827.
Authors:Yang Yan  Wang Wenbo and Hao Yue
Abstract:
Keywords:AlGaN/GaN  HEMTs  Ti/Al/Ni/Au  ohmic contact
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