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| NMOS低温热载流子晶体管的解析研究 | |
| 引用本文： | 刘卫东,魏同立.NMOS低温热载流子晶体管的解析研究[J].电子科学学刊,1996,18(6):661-665. |
| 作者姓名： | 刘卫东 魏同立 |
| 作者单位： | [1]清华大学微电子学研究所 [2]东南大学微电子中心 |
| 摘 要： | 利用低温（７７－２９５Ｋ）短沟ＮＭＯＳＦＥＴ准二维解析模型，研究了７７－２９５Ｋ温区ＮＭＯＳＦＥＴ衬底电流相关的物理机制。发现沟道电子平均自由程不随温度而改变，其值约为７．６ｎｍ；低温下虽然沟道电子在漏端获得较高的能量，但由于碰撞电离减弱，使ＮＭＯＳＦＥＴ的衬底电流不随温度降低而显著增长。实验结果证明，提出的衬底电流机制和模型适用于７７－２９５Ｋ宽温区范围。 |
| 关 键 词： | NMOS 低温 NMOSFET 载流子晶体管 |
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