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| p型Si1—xGex应变层中重掺杂禁带窄带的计算 | |
| 作者姓名： | 吴文刚 张万荣 |
| 作者单位： | [1]半导体超晶格国家重点实验室 [2]西安交通大学电子工程系微电子研究室 |
| 摘 要： | 针对应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响，提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型，计算了赝晶生长在〈１００〉Ｓｉ衬底上的ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄带，发现当杂质浓度超过约２￣３×１０＾１９ｃｍ＾－３后，它在某一Ｇｅ组分下得到极大值，而当掺杂低于此浓度时，它则随Ｇｅ组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性 |
| 关 键 词： | 锗硅合金 应变 重掺杂 能带结构 半导体 |
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