| 基于SOI技术的MEMS超声分离器制备方法研究 |
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| 引用本文： | 肖含立,丁杰雄,华晨辉,陈栋,王宇翔. 基于SOI技术的MEMS超声分离器制备方法研究[J]. 半导体技术, 2010, 35(12): 1145-1148,1173. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.12.001 |
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| 作者姓名： | 肖含立 丁杰雄 华晨辉 陈栋 王宇翔 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,机械电子工程学院,成都,611731;电子科技大学,机械电子工程学院,成都,611731;电子科技大学,机械电子工程学院,成都,611731;电子科技大学,机械电子工程学院,成都,611731;电子科技大学,机械电子工程学院,成都,611731 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50675031) |
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| 摘 要： | 基于简正模式的MEMS超声分离器对分离腔的侧壁垂直度、深度均匀性以及表面平整度等要求较高,结合IC工艺重点探讨、研究了超声分离器腔体制作方法。提出将SOI(silicon on insulator)片作为刻蚀基底,采用等离子体干法刻蚀、硅/玻璃键合以及激光热加工等技术制备分离器,成功制备出腔体深度分别为137μm和200μm的分离器,腔体深度误差均在±2μm以内,腔体表面粗糙度Ra<10 nm,腔体侧壁垂直度达83°。为MEMS超声分离器的制备提供了一种简便、高效的工艺方法。
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| 关 键 词： | 干法刻蚀 SOI片 MEMS超声分离器 侧壁垂直度 IC工艺 |
Research on the Fabrication of MEMS Ultrasonic Separators Based on SOI Materials |
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| Xiao Hanli,Ding Jiexiong,Hua Chenhui,Chen Dong,Wang Yuxiang. Research on the Fabrication of MEMS Ultrasonic Separators Based on SOI Materials[J]. Semiconductor Technology, 2010, 35(12): 1145-1148,1173. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.12.001 |
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| Authors: | Xiao Hanli Ding Jiexiong Hua Chenhui Chen Dong Wang Yuxiang |
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| Affiliation: | Xiao Hanli,Ding Jiexiong,Hua Chenhui,Chen Dong,Wang Yuxiang(School of Mechatronics Engineering,University of Electronic Science , Technology of China,Chengdu 611731,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | dry etching SOI material MEMS ultrasonic separator verticality of the sidewall IC process |
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