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| 用二次离子质谱法分析离子注入层 | |
| 引用本文： | H.W.Werner,杨顺.用二次离子质谱法分析离子注入层[J].微纳电子技术,1977(2). |
| 作者姓名： | H.W.Werner 杨顺 |
| 摘 要： | 本文探讨用二次离子质谱法(SIMS)研究离子注入层的纵向浓度分布,同时将 SIMS 与其他近代分析技术进行比较。用 SIMS 分析的薄层厚度可由几个原子层到几个微米。在最佳条件下的检测极限为10~(14)原子·厘米~(-3)(硅中硼)和10~(19)原子·厘米~(-3)(硅中氮)。本文还讨论了确定注入分布的影响因素,并且叙述了使这种影响降到最低的测试方法。 |
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