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| CMOS图像传感器的新进展 | |
| 作者姓名： | 陈开富 |
| 作者单位： | 信息产业部电子第44所 |
| 摘 要： | 互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器是金属氧化物半导体(MOS、电荷耦合器件CCD)、电荷注入器件(CID)、固体图像传感器问世之后的又一新型器件,最初是70年代在NASA的Jet PropulsionLaboratory(JPL)发明的,发明初期,由于受集成电路设计和工艺水平的限制,图像质量差,而没有得到重视。到了80年代,英国爱丁堡大学成功地开发出了世界第一块单片CMOS图像传感器,为其实用化开辟了道路。进入90年代后,随着大规模集成电路及其制造技术进入亚微米阶段,CMOS图像传感器技术获得了长足的进展。 至今,已在MOS、CCD和LID图像传感器的基础上 |
| 关 键 词： | CMODS 图像传感器 市场 |
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