| 集成化单电子器件研究进展 |
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| 引用本文： | 杨银堂,王帆,朱樟明,翟艳. 集成化单电子器件研究进展[J]. 电子器件, 2004, 27(4): 772-776 |
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| 作者姓名： | 杨银堂 王帆 朱樟明 翟艳 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
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| 摘 要： | 传统MOSFET结构正以较快的发展速度接近其物理极限，而单电子器件将成为新型的高性能集成化器件结构。本文采用量子点及其库伦阻塞效应等概念对单电子器件的工作原理进行了系统分析，并介绍了单电子器件在存储器和高灵敏度静电计方面的应用，最后指出了单电子器件的新发展方向及所面临的问题。
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| 关 键 词： | 单电子器件 库伦阻塞 量子点 单电子存储器 单电子静电计 |
| 文章编号： | 1005-9490(2004)04-0772-05 |
The Latest Progress of Integrated Single-Electron Devices |
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| YANG Yin-tang,WANG Fan,ZHU Zhang-ming,ZHAI Yan. The Latest Progress of Integrated Single-Electron Devices[J]. Journal of Electron Devices, 2004, 27(4): 772-776 |
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| Authors: | YANG Yin-tang WANG Fan ZHU Zhang-ming ZHAI Yan |
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| Abstract: | Conventional MOSFET architectures are approaching rapidly fundamental physical limitations, while single-electron devices are expected to be a new type of integrated device architecture with high performance. The operating principles of single-electron devices is analyzed systematically using the concepts of quantum dot and Coulomb blockade effect, etc., and the applications of the single-electron devices in memory and high sensitive electrometer are also introduced. The new developing direction and the problems which are faced with the single-electron devices are pointed. |
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| Keywords: | single-electron device coulomb blockade quantum dot single-electron memory single-electron electrometer |
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