电致发光器件选址用的高压多晶硅薄膜晶体管

为获得高分辨率和长寿命的电致发光显示板,本文研究了薄膜电致发光器件选址用的高压多晶硅薄膜晶体管(TFT)矩阵。结果,对于32×32点矩阵器件,其源、漏极间的正反向击穿电压都达到100V,并且在0—22V门电压之间的开/关电流比为3×10~3。由于采用激光退火和补偿门结构,制备出交流显示用的高压多晶硅薄膜晶体管,此TFT电路可以驱动电致发光器件。由于多晶硅薄膜被用作薄膜晶体管的半导体,就可应用硅的大规模集成电路工艺来得到高分辨率TFT矩阵,而且不存在化学计量的问题,可以将高质量的热生长氧化物用作门绝缘体。所以,为获得长寿命显示板,已能够制备稳定的硅薄膜晶体管。