多色量子阱红外探测器的发展(上) |
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引用本文: | 王忆锋,谈骥.多色量子阱红外探测器的发展(上)[J].红外,2013(10):1-6,15. |
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作者姓名: | 王忆锋 谈骥 |
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作者单位: | 昆明物理研究所,云南昆明650223 |
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摘 要: | 军用红外探测器需要使用工作在各种红外波段的大规格,高均匀性多色焦平面阵列器件。满足这些要求的一个候选者就是量子阱红外(光电)探测器(QuantumWell Infrared Photodetector,QWIP)。作为新一代红外探测器,QWIP基于极薄半导体异质结构中的载流子束缚效应。GaAs/A1GaAs/QWIP的主要优点包括标准的III—V族衬底材料和技术、良好的热稳定性、大面积、低研发成本以及抗辐射性。QWIP的另一个重要优点是具有带隙工程能力。可以通过调节量子阱宽度和势垒组分设计出满足特殊要求(例如多色焦平面列阵应用)的器件结构。介绍了对QwIP探测物理机制的理解以及近年来多色QwIP技术的发展状况。
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关 键 词: | 量子阱 多色 红外探测器 焦平面列阵 |
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