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| 电路老化中考虑路径相关性的关键门识别方法 | |
| 引用本文： | 李扬,梁华国,陶志勇,李鑫,易茂祥,徐辉. 电路老化中考虑路径相关性的关键门识别方法[J]. 电路与系统学报, 2013, 18(2): 123-128 |
| 作者姓名： | 李扬 梁华国 陶志勇 李鑫 易茂祥 徐辉 |
| 作者单位： | 1. 合肥工业大学计算机与信息学院,安徽合肥230009;江苏省南通商贸高等职业学校,江苏南通230009 2. 合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥,230009 3. 合肥工业大学计算机与信息学院,安徽合肥,230009 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目，安徽省高校自然科学研究重点项目，江苏省高校"青蓝工程"资助项目 |
| 摘 要： | 65nm及以下工艺,负偏置温度不稳定性(NBTI)是限制电路生命周期,导致电路老化甚至失效的最主要因素。本文提出了基于NBTI的时序分析框架,在确定电路中老化敏感的潜在关键路径集合的基础上,通过考虑路径相关性确定老化敏感的关键门。本方法简单易行,在65nm工艺下对ISCAS基准电路的实验结果表明:在保障电路经10年NBTI效应仍满足相同的时序要求的前提下,本方法较同类方法能更加准确得定位关键门,且关键门的数量较少,从而可减少抗老化设计的成本。 |
| 关 键 词： | 负偏置温度不稳定性 老化 潜在关键路径集合 路径相关性 关键门 |
A method to identify critical gates under circuit aging considering path correlation |
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| LI Yang , LIANG Hua-guo , TAO Zhi-yong , LI Xin , YI Mao-xiang , XU Hui. A method to identify critical gates under circuit aging considering path correlation[J]. Journal of Circuits and Systems, 2013, 18(2): 123-128 | |
| Authors: | LI Yang LIANG Hua-guo TAO Zhi-yong LI Xin YI Mao-xiang XU Hui |
| Affiliation: | 1(1.School of Computer and Information,Hefei University of Technology,Hefei 230009,China;2.School of Electronic Science and Applied Physics,Hefei University of Technology,Hefei 230009,China;3.Department of Information,Jiangsu Nantong Trade and Business Vocational College,Nantong 226000,China.) |
| Abstract: | |
| Keywords: | NBTI aging potential critical path set path correlation critical gates |
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